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研究证明了激活拓扑缺陷的原始石墨烯基面表面的可行性，小题该拓扑缺陷源于扭曲双层的结构对称性破缺。引言在电化学反应中，源于电极到电解质的电荷迁移驱动界面上的化学转化，源于以及在这种界面处的电子转移反应是实现电能和化学能相互转换的关键技术的基础。

二维表面上的缺陷和边缘位置由于其修正的电子性质，小题被认为是界面电荷转移过程中的反应热点。此外，源于实现对原子缺陷的合理控制和缺陷诱导增强的最佳选择性通常是具有挑战性的。由此，小题可代替难以控制的外来引入掺杂剂，或者晶体结构缺陷。

图文介绍图1.转角双层石墨烯moiré超晶格及其电化学响应©2022SpringerNaturea.三种叠加结构(AA,AB/BA和SP)的示意图b.TBG超晶格的微布里渊区c,d.计算出1.1°TBG的moiré带(c)和相应的DOS(d)e.TBG/hBN异质结的光学图像f.1.15°TBG恒流STM图像g.TBG表面的局部循环伏安测量原理图h.稳态伏安曲线图2.量化TBG界面电子转移中的量子电容效应©2022SpringerNaturea.电极-电解质界面示意图b.在不同的扭转角度下Cq与化学势(Vq)的关系c.不同扭转角度下双层上的电势降(Vdl)与外加电势(Vapp)的关系d.电极DOS和Vdl和Vq相对贡献的界面电荷转移的能量图图3.moiré角与电子输运速率的相关性©2022SpringerNaturea.TBG的恒流STM图像b.稳态伏安曲线c.用Gerischer-Marcus(GM)框架计算不同θm时的kred与Vapp的关系d.从实验伏安图中提取的标准速率常数(k0)与扭角的关系图4.TBGmoiré晶胞内的理论电子输运动力学©2022SpringerNaturea,b.计算θm =1.1°(a)和3.0°(b)时TBG中AA、源于AB/BA和SP的LDOS与能量的关系c.计算TBG的LDOS、源于Vdl和kred的实空间映射图5.TBG-AA区晶格弛豫和电子输运动力学的异常增强©2022SpringerNaturea.AA位点的实验局域k0随θm的变化b.晶格弛豫过程的示意图小结该项研究展示了，扭曲双层石墨烯TBG的界面电子转移行为，除了低温相关电子相之外，范德华异质结vDW结构中莫尔Moiré衍生平带，提供了独特可调材料平台，以系统地操纵和从根本上探测在明确定义表面上的界面电荷转移和（电）化学转变。小题团队报道了莫尔平坦带的扭曲双层石墨烯的可调角度相关电化学研究。

源于最近的工作发现了转角2D材料中异常广泛且不断增加的奇异物理现象。

然而，小题边缘位置的小面积部分限制了对整个表面的最大利用。图8(a)显示了用原子力显微镜测量的单个TiO2@MoOx纳米棒的形态，源于图6(b)和(c)为外部光线处于关闭/开启状态时的表面电位mapping图。

周骏教授为中国光学学会光电技术专业委员会委员、小题浙江省实验教学指导委员会委员、中国光学学会、美国光学学会。图2（a）和图2（b）分别显示了纯TiO2、源于TiO2@MoS2纳米棒和MoS2上的SERS性能以及氧化后的纯TiO2、TiO2@MoOx纳米棒和MoOx上的SERS性能。

【成果简介】近日，小题宁波大学周骏课题组顾辰杰副教授，小题联合宁波大学高等技术研究院红外团队沈祥课题组，与天津大学韩家广教授、西湖大学郑小睿研究员合作，提出了一种精细制备TiO2/MoOx纳米异质结的方法，获得了一种SERS性能优异的半导体异质结基底。源于(e)TMS2上的Mo3d和(f)TMO3上的Mo3d精细谱。